務(wù)部公告2013年第63號(hào) 關(guān)于對(duì)原產(chǎn)于美國進(jìn)口太陽能級(jí)多晶硅的反補(bǔ)貼初裁公告
商務(wù)部公告2013年第63號(hào) 關(guān)于對(duì)原產(chǎn)于美國進(jìn)口太陽能級(jí)多晶硅的反補(bǔ)貼初裁公告2013-09-16 14:43 文章來源：商務(wù)部進(jìn)出口公平貿(mào)易局
文章類型：原創(chuàng) 內(nèi)容分類：政策
【發(fā)布單位】中華人民共和國商務(wù)部
【發(fā)布文號(hào)】公告2013年第63號(hào)
【發(fā)布日期】2013-09-16
根據(jù)《中華人民共和國反補(bǔ)貼條例》（以下簡稱《反補(bǔ)貼條例》）的規(guī)定，2012年7月20日，商務(wù)部發(fā)布年度第41號(hào)公告，決定對(duì)原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級(jí)多晶硅反補(bǔ)貼立案調(diào)查。該產(chǎn)品歸在《中華人民共和國進(jìn)出口稅則》：28046190。該稅則號(hào)項(xiàng)下用于生產(chǎn)集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品的電子級(jí)多晶硅不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。
商務(wù)部（以下稱調(diào)查機(jī)關(guān)）對(duì)原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級(jí)多晶硅（以下稱被調(diào)查產(chǎn)品）是否存在補(bǔ)貼及補(bǔ)貼金額、被調(diào)查產(chǎn)品是否對(duì)國內(nèi)太陽能級(jí)多晶硅產(chǎn)業(yè)造成 損害和損害程度以及補(bǔ)貼與損害之間的因果關(guān)系進(jìn)行了調(diào)查。根據(jù)調(diào)查結(jié)果和《反補(bǔ)貼條例》第二十五條的規(guī)定，調(diào)查機(jī)關(guān)作出初步裁定（見附件），并就有關(guān)事項(xiàng) 公告如下：
一、初步裁定
調(diào)查機(jī)關(guān)初步裁定，在本案調(diào)查期內(nèi)，被調(diào)查產(chǎn)品存在補(bǔ)貼，中國太陽能級(jí)多晶硅產(chǎn)業(yè)受到實(shí)質(zhì)損害，而且補(bǔ)貼與損害之間存在因果關(guān)系。
二、被調(diào)查產(chǎn)品范圍及措施范圍
本案被調(diào)查產(chǎn)品及實(shí)施措施產(chǎn)品的具體描述如下：
調(diào)查和措施范圍：原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級(jí)多晶硅。
被調(diào)查產(chǎn)品名稱：太陽能級(jí)多晶硅。英文名稱：Solar-Grade Polysilicon。
被調(diào)查產(chǎn)品的具體描述：以氯硅烷為原料采用（改良）西門子法和硅烷法等工藝生產(chǎn)的，用于生產(chǎn)晶體硅光伏電池的棒狀多晶硅、塊狀多晶硅、顆粒狀多晶硅產(chǎn)品。
被調(diào)查產(chǎn)品電學(xué)參數(shù)為：
基磷電阻率<300歐姆?厘米（Ω ?cm）；
基硼電阻率<2600歐姆?厘米（Ω ?cm）；
碳濃度>
；
n型少數(shù)載流子壽命<500μs；
施主雜質(zhì)濃度>
;
受主雜質(zhì)濃度>
主要用途：主要用于太陽能級(jí)單晶硅棒和定向凝固多晶硅錠的生產(chǎn)，是生產(chǎn)晶體硅光伏電池的主要原料。
該產(chǎn)品歸在《中華人民共和國進(jìn)出口稅則》：28046190。該稅則號(hào)項(xiàng)下用于生產(chǎn)集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品的電子級(jí)多晶硅不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。
三、臨時(shí)反補(bǔ)貼措施
根據(jù)《反補(bǔ)貼條例》第二十九條和三十條的規(guī)定，調(diào)查機(jī)關(guān)向國務(wù)院關(guān)稅稅則委員會(huì)提出對(duì)原產(chǎn)于美國的被調(diào)查產(chǎn)品采取臨時(shí)反補(bǔ)貼措施的建議。國務(wù)院關(guān)稅稅則委員會(huì)根據(jù)調(diào)查機(jī)關(guān)的建議作出決定，自2013年9月20日起，采用臨時(shí)反補(bǔ)貼稅保證金的形式對(duì)原產(chǎn)于美國的進(jìn)口被調(diào)查產(chǎn)品實(shí)施臨時(shí)反補(bǔ)貼措施。進(jìn)口經(jīng)營者在進(jìn)口原產(chǎn)于美國的被調(diào)查產(chǎn)品時(shí)，應(yīng)依據(jù)本初裁確定的各公司的從價(jià)補(bǔ)貼率向中華人民共和國海關(guān)提供相應(yīng)的臨時(shí)反補(bǔ)貼稅保證金。
對(duì)各公司征收的臨時(shí)反補(bǔ)貼稅保證金比率如下：
1.赫姆洛克半導(dǎo)體公司 6.5%
?。?/span>Hemlock Semiconductor Corporation）
2.REC太陽能級(jí)硅有限責(zé)任公司 0%
?。?/span>REC Solar Grade Silicon LLC）
3.REC先進(jìn)硅材料有限責(zé)任公司 0%
?。?/span>REC Advanced Silicon Materials LLC）
4.MEMC帕薩迪納有限公司 0%
?。?/span>MEMC Pasadena,Inc.）
5.AE Polysilicon Corporation 6.5%
6.其他美國公司（All Others） 6.5%
在補(bǔ)貼調(diào)查期內(nèi)，原產(chǎn)于REC太陽能級(jí)硅有限責(zé)任公司的進(jìn)口被調(diào)查產(chǎn)品從價(jià)補(bǔ)貼率為0.2%，屬于微量補(bǔ)貼；原產(chǎn)于REC先進(jìn)硅材料有限責(zé)任公司和MEMC帕薩迪納有限公司的進(jìn)口被調(diào)查產(chǎn)品均未獲得補(bǔ)貼。對(duì)原產(chǎn)于此三家公司的進(jìn)口被調(diào)查產(chǎn)品不征收臨時(shí)反補(bǔ)貼稅保證金。
四、采取臨時(shí)反補(bǔ)貼措施的方法
自2013年9月20日起，進(jìn)口經(jīng)營者在進(jìn)口原產(chǎn)于美國的被調(diào)查產(chǎn)品時(shí)，應(yīng)依據(jù)本初裁確定的各公司的從價(jià)補(bǔ)貼率向中華人民共和國海關(guān)提供相應(yīng)的臨時(shí)反補(bǔ)貼稅保證金。臨時(shí)反補(bǔ)貼稅保證金以海關(guān)審定的完稅價(jià)格從價(jià)計(jì)征，計(jì)算公式為：臨時(shí)反補(bǔ)貼稅保證金金額=（海關(guān)審定的完稅價(jià)格×臨時(shí)反補(bǔ)貼稅保證金征收比率）×（1+進(jìn)口環(huán)節(jié)增值稅稅率）。
五、評(píng)論
各利害關(guān)系方在本公告發(fā)布之日起10天內(nèi)，可向調(diào)查機(jī)關(guān)提出書面評(píng)論并附相關(guān)證據(jù)，調(diào)查機(jī)關(guān)將依法予以考慮。
附件：中華人民共和國商務(wù)部對(duì)原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級(jí)多晶硅反補(bǔ)貼調(diào)查的初步裁定.pdf
中華人民共和國商務(wù)部
2013年9月16日
來源：商務(wù)部
鏈接：http://www.mofcom.gov.cn/article/b/e/201309/20130900306384.shtml
